STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, STripFET V
- RS-artikelnummer:
- 165-6538
- Tillv. art.nr:
- STR2N2VH5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
9 579,00 kr
(exkl. moms)
11 973,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 3,193 kr | 9 579,00 kr |
| 6000 - 6000 | 2,829 kr | 8 487,00 kr |
| 9000 - 21000 | 2,737 kr | 8 211,00 kr |
| 24000 + | 2,641 kr | 7 923,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-6538
- Tillv. art.nr:
- STR2N2VH5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | STripFET V | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 40mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 350mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.04mm | |
| Höjd | 1.3mm | |
| Bredd | 1.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie STripFET V | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 40mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 350mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.04mm | ||
Höjd 1.3mm | ||
Bredd 1.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal STripFETTM V, STMicroelectronics
STripFETTM MOSFET-enheter med ett brett brytningsspänningsområde erbjuder ultralåg grindladdning och lågt motstånd under drift.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, STripFET V
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 23 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.4 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 2.3 A 150 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
