STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, STripFET V

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*

9 579,00 kr

(exkl. moms)

11 973,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30003,193 kr9 579,00 kr
6000 - 60002,829 kr8 487,00 kr
9000 - 210002,737 kr8 211,00 kr
24000 +2,641 kr7 923,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-6538
Tillv. art.nr:
STR2N2VH5
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

STripFET V

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

40mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal effektförlust Pd

350mW

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-8V, +8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.3mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.75mm

Längd

3.04mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal STripFETTM V, STMicroelectronics


STripFETTM MOSFET-enheter med ett brett brytningsspänningsområde erbjuder ultralåg grindladdning och lågt motstånd under drift.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.