onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 1.2 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 864-8142
- Tillv. art.nr:
- FDG1024NZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 864-8142
- Tillv. art.nr:
- FDG1024NZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-363 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 259mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 360mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -8V, +8V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 700mV | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.25mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-363 | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 259mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 360mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -8V, +8V | ||
Framåtriktad spänning Vf 700mV | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.25mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2mm | ||
Höjd 1mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® dubbel N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFET är optimerade strömomkopplare som erbjuder ökad systemeffektivitet och effekttäthet. De kombinerar liten grindladdning, liten omvänd återställning och en mjuk diod för omvänd återställning för att bidra till snabb omkoppling av synkron likriktning i AC/DC-nätaggregat.
Mjukt kroppsdiodprestanda för PowerTrench® MOSFET:er kan eliminera snubberkrets eller ersätta en MOSFET med högre spänning.
MOSFET-transistorer, ON Semi
><
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 1.2 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, PowerTrench
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 750 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, PowerTrench
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 500 mA 25 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 2.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 2.7 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 3 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 340 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench