Infineon N Kanal, MOSFET, 99 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

154,56 kr

(exkl. moms)

193,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 240 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4015,456 kr154,56 kr
50 - 9012,499 kr124,99 kr
100 - 24011,749 kr117,49 kr
250 - 49010,819 kr108,19 kr
500 +10,058 kr100,58 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
830-3372
Tillv. art.nr:
IRLR3636TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

99A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TO-252

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

8.3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-16, +16V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

49nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

143W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.73mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.22mm

Höjd

2.39mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 99 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRLR3636TRPBF


Denna n-kanalförbättrings-MOSFET från Infineon är en effekttransistor som är utformad för högströmsomkoppling i ytmonterade kretsar. Den fungerar över ett brett temperaturområde och passar tillämpningar som kräver robust hantering av dräneringsspänning och betydande kontinuerlig strömkapacitet. Enheten har ett TO-252-paket för kompakt montering på kortnivå och en grindklassning som stöder typiska grinddrivarspänningar.

Funktioner och fördelar:


• Maximal kontinuerlig dräneringsström 99 A möjliggör högströmsväxling
• Maximal drain-källspänning 60 V stöder medelspänningssystem
• Mycket låg Rds(on) på 8.3 mΩ minskar ledningsförlusterna
• Maximal effektförlust på 143 W möjliggör kontinuerlig drift med hög effekt
• Typisk grindladdning på 49 nC möjliggör förutsägbar omkopplingsdynamik
• Forward-spänning 1,3 V minimerar spänningsfall under belastning

Användningsområden


• Idealisk för motorstyrsteg i elektriska manöverdon
• Lämplig för DC/DC-omvandlare och regulatorer med hög strömstyrka
• Används med batterihantering och strömfördelningsmoduler
• Kan användas för synkronlikriktelse i nätaggregat
• Lämplig för industriell omkoppling i drivkretsar med variabel hastighet

Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas under konstruktionen?


Enheten får inte drivas utöver en gate-source-klassning på 16 V för att undvika gate-oxidbelastning och säkerställa tillförlitlig omkoppling.

Vilka termiska förhållanden tål den under drift?


Transistorn är specifik för att fungera mellan -55 °C och 175 °C, vilket möjliggör användning i krävande termiska miljöer med lämplig termisk hantering.

Hur påverkar förpackningen kortets layout och montering?


Ytmonteringsformatet TO-252 ger ett kompakt fotavtryck och värmeväg till kretskortet, vilket underlättar anslutningar med låg induktans och effektiv värmeöverföring.

Hur påverkar dess kanaltyp kopplingsbeteendet?


Att vara en N-kanalförstärkningsenhet innebär att den kräver en positiv grinddrivning i förhållande till källan för att slå på, vilket ger låga Rds(on) när den drivs på lämpligt sätt.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.