Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 8 Ben, SON, NexFET

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

35,31 kr

(exkl. moms)

44,14 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 1 755 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +7,062 kr35,31 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
827-4684
Tillv. art.nr:
CSD16321Q5
Tillverkare / varumärke:
Texas Instruments
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Texas Instruments

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

25V

Serie

NexFET

Kapseltyp

SON

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

3.8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Maximal effektförlust Pd

3.1W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

14nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.1mm

Höjd

1.05mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal NexFETTM effekt-MOSFET, Texas Instruments


MOSFET-transistorer, Texas Instruments


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.