Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 8 Ben, VSON, NexFET
- RS-artikelnummer:
- 162-8145
- Tillv. art.nr:
- CSD19531Q5AT
- Tillverkare / varumärke:
- Texas Instruments
Antal (1 rulle med 250 enheter)*
2 557,50 kr
(exkl. moms)
3 197,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 1 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 250 + | 10,23 kr | 2 557,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 162-8145
- Tillv. art.nr:
- CSD19531Q5AT
- Tillverkare / varumärke:
- Texas Instruments
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Texas Instruments | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 110A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | VSON | |
| Serie | NexFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 37nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Längd | 6.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Texas Instruments | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 110A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp VSON | ||
Serie NexFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Längd 6.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Relaterade länkar
- Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 8 Ben, VSON, NexFET
- Texas Instruments Typ P Kanal, MOSFET, 104 A 20 V Förbättring, 8 Ben, VSON, NexFET
- Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 157 A 80 V Förbättring, 8 Ben, VSON, NexFET
- Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 204 A 40 V Förbättring, 8 Ben, VSON, NexFET
- Texas Instruments Typ P Kanal, MOSFET, 76 A 20 V Förbättring, 8 Ben, VSONP, NexFET
- Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SON, NexFET
- Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SON, NexFET
- Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, VSONP, NexFET