Sök efter MPN

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

RS-artikelnummer:: 827-4079
Distrelec artikelnummer:: 304-44-465
Tillv. art.nr:: IRFR5410TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Antal (20 enheter, i en förpackning med 20)*

196,32 kr

(exkl. moms)

245,40 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

580 enhet(er) är redo att levereras
Dessutom levereras 11 020 enhet(er) från den 12 oktober 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
20 +	9,816 kr	196,32 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 827-4079
Distrelec artikelnummer:: 304-44-465
Tillv. art.nr:: IRFR5410TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	13A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	205mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	66W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	-1.6V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	58nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	6.22mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	6.73mm
	Höjd	2.39mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp TO-252
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 205mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 66W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf -1.6V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 58nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 6.22mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 6.73mm
	Höjd 2.39mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

P-kanals Power MOSFET 100V till 150V, Infineon

Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar P-kanaliga enheter i ytmonterade och blyade kapslingar och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar inom kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.