Infineon N Kanal, MOSFET, 170 mA 400 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 826-9257
Distrelec artikelnummer:: 304-44-416
Tillv. art.nr:: BSP324H6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 170 mA 400 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

429,40 kr

(exkl. moms)

536,75 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 29 december 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
50 +	8,588 kr	429,40 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 826-9257
Distrelec artikelnummer:: 304-44-416
Tillv. art.nr:: BSP324H6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	170mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	400V
	Kapseltyp	SOT-223
	Serie	SIPMOS
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	4
	Maximal drain-källresistans Rds	25Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	4.54nC
	Maximal effektförlust Pd	1.8W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	0.8V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	3.5mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	6.5mm
	Höjd	1.6mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 170mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 400V
	Kapseltyp SOT-223
	Serie SIPMOS
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 4
	Maximal drain-källresistans Rds 25Ω
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.54nC
	Maximal effektförlust Pd 1.8W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 0.8V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 3.5mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 6.5mm
	Höjd 1.6mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Infineon SIPMOS-serien MOSFET, 400 V maximal drain-källspänning, 1,8 W maximal effektförlust – BSP324H6327XTSA1

Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i krävande miljöer. Den fungerar som omkopplings- eller styrkomponent i kretsar som kräver en förstärkningsenhet som kan hantera betydande dräneringsspänningar och kvalificering på fordonsnivå. Enheten levereras i ett kompakt SOT-223-paket som är lämpligt för kortmonterade tillämpningar där termisk och elektrisk prestanda måste balanseras.

Funktioner och fördelar:

• 400 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• Maximal Rds(on) på 25 Ω minskar ledningsförlusterna i lågströmskretsar
• Kontinuerlig dräneringsström på 170 mA stöder småsignaluppgifter
• Maximal effektförlust på 1.8 W hanterar måttliga termiska belastningar
• 4,54 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare grindövergångar med mindre drivenergi
• 0,8 V framspänning förbättrar diodfallseffektiviteten vid omkopplingshändelser

Användningsområden

• Lämplig för hjälpkretsar i fordonselektronik
• Idealisk för högspänningskontroll i strömförsörjningsnätverk
• Används med grinddrivare för omkopplingssteg med låg ström
• Kan användas för lastskydd i avkänningsmoduler
• Lämplig för ytmonteringsenheter i kompakta kraftkonstruktioner

Vilket temperaturområde kan den fungera över?

Den fungerar i ett brett omgivningsområde från -55 °C upp till 150 °C för användning i termiskt varierade installationer.

Hur många stift och vilken monteringsstil erbjuds?

Enheten levereras med fyra stift och är avsedd för ytmontering på kretskort.

Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas under konstruktionen?

Gate Drive måste hållas inom ±20 V för att undvika att överskrida den maximala gate-source-klassningen.

Vilket förpackningsfotavtryck och yttre storlek bör designers förvänta sig?

Transistorn levereras i en SOT-223-kapsel med övergripande mått på 6,5 x 3,5 x 1,6 mm för kretskortslayoutplanering.