Infineon N Kanal, MOSFET, 25 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 826-9204
- Tillv. art.nr:
- IPB600N25N3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 20 till för att spara 5%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
284,48 kr
(exkl. moms)
355,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 520 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 10 - 10 | 28,448 kr | 284,48 kr | - |
| 20 - 40 | 27,014 kr | 270,14 kr | 5% |
| 50 - 90 | 25,883 kr | 258,83 kr | 9% |
| 100 - 240 | 24,752 kr | 247,52 kr | 12% |
| 250 + | 23,05 kr | 230,50 kr | 18% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 826-9204
- Tillv. art.nr:
- IPB600N25N3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 250V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 136W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 9.45mm | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.31mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 250V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 136W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 9.45mm | ||
Höjd 4.57mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.31mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS 3-serien MOSFET, 250 V drain-källspänning, 25 A kontinuerlig drain-ström – IPB600N25N3GATMA1
Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för effektomvandling och omkopplingsuppgifter i krävande elektroniska system. Den fungerar över ett mycket brett temperaturområde och är konfigurerad för ytmonterad implementering, vilket ger ett kompakt fotavtryck för värmehantering i monteringar där robust effekthantering och grindstyrning krävs.
Funktioner och fördelar:
• 250 V drain-to-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• Motståndet på 60 mΩ minskar ledningsförlusterna och förbättrar effektiviteten
• Kontinuerlig dräneringsström på 25 A stöder kontinuerlig drift med hög belastning
• 136 W effektförlust möjliggör betydande värmehantering i kretsar
• 22 nC grindladdning ger förutsägbar omkopplingsenergi och drivkonstruktion
• 20 V gate-source-gränsen möjliggör standard gate-drivspänningsmarginaler
• Motståndet på 60 mΩ minskar ledningsförlusterna och förbättrar effektiviteten
• Kontinuerlig dräneringsström på 25 A stöder kontinuerlig drift med hög belastning
• 136 W effektförlust möjliggör betydande värmehantering i kretsar
• 22 nC grindladdning ger förutsägbar omkopplingsenergi och drivkonstruktion
• 20 V gate-source-gränsen möjliggör standard gate-drivspänningsmarginaler
Användningsområden
• Lämpligt för högspännings-SMPS primära omkopplingsstegen
• Idealisk för industriella motorstyrningsväxelriktare
• Används för DC/DC-omvandlare i telekomkraftsystem
• Kan användas för batterihantering och laddartopologi
• Används vid generell strömomkoppling på ytmonterade kort
• Idealisk för industriella motorstyrningsväxelriktare
• Används för DC/DC-omvandlare i telekomkraftsystem
• Kan användas för batterihantering och laddartopologi
• Används vid generell strömomkoppling på ytmonterade kort
Vilket temperaturområde kan den tolerera under drift?
Den är klassad för drift från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med extrema temperaturvariationer.
Vilken förpackningstyp underlättar montering och värmeöverföring?
Den levereras i en TO-263-förpackning för ytmontering som underlättar lödmontering och erbjuder en stor värmedyna för motståndsvärmespridning.
Hur uppför sig enheten för gate-drivkonstruktion?
Den typiska grindladdningen på 22 nC ger en kvantifierbar omkopplingsenergi för storleken på grinddrivare och uppskattar omkopplingsförluster.
Vilken ledningsförmåga bör konstruktörer förvänta sig under belastning?
Med ett maximalt specifikt avtappningsmotstånd på 60 mΩ kan konstruktörer beräkna ledningsförluster för strömbanor upp till den nominella kontinuerliga 25 A.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 25 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 64 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 34 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3