DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 500 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSN20 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 822-2179
- Tillv. art.nr:
- BSN20-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (100 enheter, i en förpackning med 100)*
176,90 kr
(exkl. moms)
221,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 100 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 900 enhet(er) från den 08 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 100 - 500 | 1,769 kr | 176,90 kr |
| 600 - 1400 | 1,592 kr | 159,20 kr |
| 1500 + | 1,415 kr | 141,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 822-2179
- Tillv. art.nr:
- BSN20-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 500mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 50V | |
| Serie | BSN20 | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 920mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Längd | 3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 500mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 50V | ||
Serie BSN20 | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 920mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.4mm | ||
Längd 3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
N-kanal MOSFET, 40 V till 90 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 500 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSN20 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 500 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN53D0L AEC-Q101
- AEC-Q101 DiodesZetex MOSFET, MOSFET 1, 500 mA, 3 Ben 6V, SOT-23
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4.6 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.9 A 100 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
