DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 500 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSN20 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 121-9587
- Tillv. art.nr:
- BSN20-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
1 833,00 kr
(exkl. moms)
2 292,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) levereras från den 27 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,611 kr | 1 833,00 kr |
| 9000 + | 0,596 kr | 1 788,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 121-9587
- Tillv. art.nr:
- BSN20-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 500mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 50V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | BSN20 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 920mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 500mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 50V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie BSN20 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Maximal effektförlust Pd 920mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 40 V till 90 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 500 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSN20 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 500 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN53D0L AEC-Q101
- AEC-Q101 DiodesZetex MOSFET, MOSFET 1, 500 mA, 3 Ben 6V, SOT-23
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.1 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 90 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
