Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6.2 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, SQ Rugged AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

146,06 kr

(exkl. moms)

182,58 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 420 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +7,303 kr146,06 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
819-3920
Tillv. art.nr:
SQ4431EY-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOIC

Serie

SQ Rugged

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

52mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

-1.1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

25nC

Maximal effektförlust Pd

6W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

4mm

Längd

5mm

Höjd

1.55mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

P-kanal MOSFET, SQ Rugged-serien, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.