Vishay N Kanal, MOSFET, 8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, SQ Rugged AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
170-8298
Tillv. art.nr:
SQ3460EV-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

TSOP

Serie

SQ Rugged

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

53mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

770mV

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-8V, +8V

Maximal effektförlust Pd

3.6W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

9.3nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

1mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.1mm

Bredd

1.7mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

N-kanal MOSFET, Automotive SQ Rugged-serien, Vishay Semiconductor


Anoden SQ MOSFET-serien från Vishay Semiconductor är utformad för alla fordonstillämpningar som kräver robusthet och hög tillförlitlighet.

Fördelar med robusta MOSFET-transistorer i SQ-serien


• AEC-Q101-godkänd

• Kopplingstemperatur upp till +175 °C

• TrenchFET®-tekniker med låg påslagningsresistans och n- och p-kanal

• Innovativa, utrymmesbesparande förpackningsalternativ

MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.