Vishay N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, SQ Rugged AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

78,32 kr

(exkl. moms)

97,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 2 360 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +3,916 kr78,32 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
819-3923
Tillv. art.nr:
SQ4850EY-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

SQ Rugged

Kapseltyp

SOIC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

47mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

6.8W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

20nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

5mm

Bredd

4mm

Höjd

1.55mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal MOSFET, Automotive SQ Rugged-serien, Vishay Semiconductor


Anoden SQ MOSFET-serien från Vishay Semiconductor är utformad för alla fordonstillämpningar som kräver robusthet och hög tillförlitlighet.

Fördelar med robusta MOSFET-transistorer i SQ-serien


• AEC-Q101-godkänd

• Kopplingstemperatur upp till +175 °C

• TrenchFET®-tekniker med låg påslagningsresistans och n- och p-kanal

• Innovativa, utrymmesbesparande förpackningsalternativ

MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.