Vishay N Kanal, MOSFET, 5.2 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHF620S
- RS-artikelnummer:
- 815-2629
- Tillv. art.nr:
- SIHF620S-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
127,12 kr
(exkl. moms)
158,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 18 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 12,712 kr | 127,12 kr |
| 100 - 240 | 11,962 kr | 119,62 kr |
| 250 - 490 | 10,808 kr | 108,08 kr |
| 500 - 990 | 10,158 kr | 101,58 kr |
| 1000 + | 9,542 kr | 95,42 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 815-2629
- Tillv. art.nr:
- SIHF620S-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | SiHF620S | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 800mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 50W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie SiHF620S | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 800mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 50W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 9.65mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 200 V till 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 5.2 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHF620S
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5.2 A 1700 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, IMBF1
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh, SuperMESH
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 17.4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SIHB21N80AE
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E Series
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SIHB
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 850 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SIHB
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SUM60020E