Infineon N Kanal, MOSFET, 5.2 A 1.7 kV Förbättring, 7 Ben, TO-263, IMBF1

RS-artikelnummer:: 222-4847
Tillv. art.nr:: IMBF170R1K0M1XTMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 5.2 A 1.7 kV Förbättring, 7 Ben, TO-263, IMBF1

Antal (1000 enheter, på en rulle med 1000)*

21 101,00 kr

(exkl. moms)

26 376,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 29 november 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1000 +	21,101 kr	21 101,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 222-4847
Tillv. art.nr:: IMBF170R1K0M1XTMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	5.2A
	Maximal källspänning för dränering Vds	1.7kV
	Kapseltyp	TO-263
	Serie	IMBF1
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	7
	Maximal drain-källresistans Rds	1Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	23V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	68W
	Maximal arbetstemperatur	+175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.2A
	Maximal källspänning för dränering Vds 1.7kV
	Kapseltyp TO-263
	Serie IMBF1
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 7
	Maximal drain-källresistans Rds 1Ω
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 23V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 68W
	Maximal arbetstemperatur +175°C
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IMBF170R1K0M1XTMA1

Infineon IMBF1-serien MOSFET, 1700 V drain-källspänning, 68 W effektförlust – IMBF170R1K0M1XTMA1

Denna MOSFET är en högspänningshalvledarenhet som är utformad för att styra och växla ström i ytmonterade enheter. Den fungerar som en N-kanaltransistor med förstärkningsläge, vilket ger kontrollerad ledning mellan drain och källa för strömhanteringstillämpningar över ett brett temperaturområde.

Funktioner och fördelar:

• 1700 V-klassning möjliggör drift i högspänningskretsar
• 5.2 A kontinuerlig ström stöder måttliga belastningsströmmar
• 68 W effektförlust möjliggör varaktig värmehantering
• 1 Ω dränering-källresistans begränsar ledningsförluster
• 23 V gate-tolerans möjliggör betydande gate-drivspänning
• Ytmonterat TO-263-paket förenklar montering av kortet

Användningsområden

• Lämplig för högspänningsswitching i industriella strömförsörjningar
• Idealisk för effektomvandlingssteg som kräver kontinuerlig avledning
• Används med växelriktarens frontändar för att hantera förhöjda spänningar
• Kan användas för robusta kontroller över breda temperaturer
• Passar för kompakta kretskortsmoduler med ytmonterade komponenter

Vilka extrema temperaturer kan den tolerera under drift?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till +175 °C.

Hur många stift har förpackningen för layoutplanering?

Enheten levereras i en 7-stifts förpackning för PCB-fotavtrycksreferens.

Vilken monteringsmetod krävs för montering?

Den är avsedd för ytmontering i TO-263-format.

Vilken kanalledningstyp använder den för omkoppling?

Den använder en N-typ-kanal i förstärkningsläge för kontrollerad omkoppling.

Är den utformad för att uppfylla fordonsstandarder?

Den är inte klassad som överensstämmande med fordonsstandarder.