Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5.2 A 1700 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, IMBF1

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

21 101,00 kr

(exkl. moms)

26 376,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 01 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +21,101 kr21 101,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
222-4847
Tillv. art.nr:
IMBF170R1K0M1XTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

1700V

Kapseltyp

TO-263

Serie

IMBF1

Typ av fäste

Yta

Antal ben

7

Maximal drain-källresistans Rds

1Ω

Kanalläge

Förbättring

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineon CoolSiCTM 1700 V, 1000 mΩ SiC MOSFET i ett TO-263-7-paket med hög krypning är optimerad för fly-back-topologier som ska användas i extra nätaggregat som är anslutna till DC-länksspänningar 600 V upp till 1000 V i många strömtillämpningar.

Optimerad för fly-back-topologier

Extremt låg omkopplingsförlust

12 V / 0 V gate-källspänning kompatibel med fly-back-styrenheter

Helt kontrollerbar dV/dt för EMI-optimering

>

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.