Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5.2 A 1700 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, IMBF1
- RS-artikelnummer:
- 222-4847
- Tillv. art.nr:
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
21 101,00 kr
(exkl. moms)
26 376,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 21,101 kr | 21 101,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4847
- Tillv. art.nr:
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1700V | |
| Serie | IMBF1 | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1700V | ||
Serie IMBF1 | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon CoolSiC™ 1700 V, 1000 mΩ SiC MOSFET in a TO-263-7 high creepage package is optimized for fly-back topologies to be used in auxiliary power supplies connected to DC-link voltages 600 V up to 1000 V in numerous power applications.
Optimized for fly-back topologies
Extremely low switching loss
12 V / 0 V gate-source voltage compatible with fly-back controllers
Fully controllable dV/dt for EMI optimization
SMD package with enhanced creepage and clearance distances, > 7 mm
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 5.2 A 1700 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, IMBF1
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7.4 A 1700 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, IMBF1
- Wolfspeed Typ N Kanal, MOSFET, 5.3 A 1700 V Förbättring, 7 Ben, TO-263
- Littelfuse Typ N Kanal, MOSFET, 4.5 A 1700 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, LSIC1MO170T0750
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 5.2 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHF620S
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh, SuperMESH
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 52 A 1700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, IMW1
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101