Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 228-2980
- Tillv. art.nr:
- SUM40014M-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 228-2980
- Tillv. art.nr:
- SUM40014M-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 200A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.99mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 182nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.72V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 200A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.99mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 182nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.72V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishays N-kanals 40-V (D-S) MOSFET.
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 100 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 150 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, TrenchFET
- Vishay Siliconix Typ N Kanal, MOSFET, 250 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 2.6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 5.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 437 A 60 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), TrenchFET