Vishay N Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4178DY
- RS-artikelnummer:
- 812-3205
- Tillv. art.nr:
- SI4178DY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
119,62 kr
(exkl. moms)
149,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 680 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 5,981 kr | 119,62 kr |
| 200 - 480 | 4,777 kr | 95,54 kr |
| 500 - 980 | 4,491 kr | 89,82 kr |
| 1000 - 1980 | 3,892 kr | 77,84 kr |
| 2000 + | 3,231 kr | 64,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 812-3205
- Tillv. art.nr:
- SI4178DY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | Si4178DY | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 33mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 5W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.85V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -25V, +25V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 4mm | |
| Höjd | 1.55mm | |
| Längd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie Si4178DY | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 33mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 5W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.85V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -25V, +25V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 4mm | ||
Höjd 1.55mm | ||
Längd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Si4178DY-serien MOSFET från Vishay, 30 V maximal drain-källspänning, 12 A maximal kontinuerlig drain-ström – SI4178DY-T1-GE3
Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för strömomkoppling och hantering i kompakta elektroniska system. Den erbjuder måttlig spänningshantering och hög kontinuerlig strömkapacitet, lämplig för tillämpningar där effektiv högströmsomkoppling och värmebeständighet krävs. Komponenten uppfyller RoHS och är avsedd för montering på kortnivå i industriella och kommersiella konstruktioner.
Funktioner och fördelar:
• Drain-klassning på 30 V möjliggör medelspänningsomkopplingstillämpningar
• 12 A kontinuerlig ström med stöd för styrning av högströmsbelastning
• 33 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster i strömvägar
• 7.5 nC typisk grindladdning möjliggör snabba grindövergångar
• 5 W effektförlust hjälper till att hantera termisk belastning i små kapslingar
• 12 A kontinuerlig ström med stöd för styrning av högströmsbelastning
• 33 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster i strömvägar
• 7.5 nC typisk grindladdning möjliggör snabba grindövergångar
• 5 W effektförlust hjälper till att hantera termisk belastning i små kapslingar
Användningsområden
• Lämplig för DC/DC-omvandlarutgångsstegen
• Idealisk för batterihantering och strömdistribution
• Används med motordrivare för kompakta manöverdon
• Kan användas för lastväxling i telekomutrustning
• Idealisk för batterihantering och strömdistribution
• Används med motordrivare för kompakta manöverdon
• Kan användas för lastväxling i telekomutrustning
Vilka grindspänningsbegränsningar måste konstruktörer observera?
Enheten accepterar upp till 25 V mellan grind och källa, så grinddrivare måste ligga inom denna gräns för att undvika grind-oxidbelastning.
Hur påverkar den termiska prestandan besluten om kretskortslayout?
Med en avledningsgrad på 5 W bör konstruktörer tillhandahålla tillräcklig kopparyta och termiska vägar under SOIC-fotavtrycket för att förbättra värmespridningen och hålla kopplingstemperaturen inom gränserna.
I vilket omgivningstemperaturområde kan den fungera?
Den fungerar tillförlitligt från -55 °C till 150 °C, vilket informerar valet för tillämpningar som utsätts för breda termiska extremer.
Vilka förpacknings- och monteringsaspekter påverkar monteringen?
Delen levereras i en SOIC-8-förpackning för ytmontering med en total profilhöjd på 1,55 mm, så mönsterdesign och lödpastavolym måste justeras för konsekventa lödfogar.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4178DY
- Vishay N Kanal, MOSFET, 2.7 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4848DY
- Vishay N Kanal, MOSFET, 14 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4134DY
- Vishay N Kanal, MOSFET, 19 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 13.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4162DY
- Vishay N Kanal, MOSFET, 10.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 36 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4190ADY