Vishay N Kanal, MOSFET, 19 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

21,78 kr

(exkl. moms)

27,23 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 3 615 enhet(er) levereras från den 22 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +4,356 kr21,78 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
710-4736
Tillv. art.nr:
SI4840BDY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

19A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SOIC

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.012Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

6W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

33nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5mm

Höjd

1.55mm

Standarder/godkännanden

RoHS, JEDEC JS709A, Halogen Free (IEC 61249-2-21)

Bredd

4mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET, 30 V till 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.