Vishay N Kanal, MOSFET, 36 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

RS-artikelnummer:: 180-7284
Tillv. art.nr:: SI4154DY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, MOSFET, 36 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

14 502,50 kr

(exkl. moms)

18 127,50 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 2 500 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	5,801 kr	14 502,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7284
Tillv. art.nr:: SI4154DY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	36A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	SOIC
	Serie	TrenchFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	3.9mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	32.5nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	5W
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 36A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp SOIC
	Serie TrenchFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 3.9mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32.5nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 5W
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

Vishays ytmonterade N-kanal MOSFET är en ny tidsålderprodukt med en dräneringskällspänning på 40 V och en maximal grindkällspänning på 20 V. Den har drain-source-motstånd på 3,3 mohm vid en gate-source-spänning på 10 V. Den har en maximal effektförlust på 7,8 W och kontinuerlig dräneringsström på 36 A. Minsta och maximala drivspänning för denna MOSFET är 4,5 V respektive 10 V. MOSFET har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.

Funktioner och fördelar

• Halogenfria

• Fri från bly (Pb)

• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 150 °C

• TrenchFET effekt MOSFET

Användningsområden

• POL

• Synkron likriktare

Certifieringar

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21