Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

RS-artikelnummer:: 180-7284
Tillv. art.nr:: SI4154DY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

20 275,00 kr

(exkl. moms)

25 350,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 2 500 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	8,11 kr	20 275,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7284
Tillv. art.nr:: SI4154DY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	36A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	SOIC
	Serie	TrenchFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	3.9mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	5W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	32.5nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 36A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp SOIC
	Serie TrenchFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 3.9mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 5W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32.5nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 40V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 3.3mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 7.8W and continuous drain current of 36A. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• POL

• Synchronous rectifier

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21