Vishay N Kanal, MOSFET, 6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2338DS

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

29,04 kr

(exkl. moms)

36,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 7 040 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +1,452 kr29,04 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
812-3126
Tillv. art.nr:
Si2338DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

Si2338DS

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.033Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.2nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

1.4mm

Standarder/godkännanden

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Höjd

1.02mm

Längd

3.04mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal MOSFET, 30 V till 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.