Vishay N Kanal, MOSFET, 6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2338DS
- RS-artikelnummer:
- 165-6909
- Tillv. art.nr:
- SI2338DS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
4 299,00 kr
(exkl. moms)
5 373,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 6 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,433 kr | 4 299,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-6909
- Tillv. art.nr:
- SI2338DS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | Si2338DS | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.033Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Höjd | 1.02mm | |
| Längd | 3.04mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie Si2338DS | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.033Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Höjd 1.02mm | ||
Längd 3.04mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V till 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2338DS
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 2.6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 5.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 1.9 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 (TO-236AB), SI2324BDS
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 5.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2374DS
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 5.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2318CDS
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2304DDS
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 5.8 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2366DS