onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 830 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-89, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 807-0713
- Tillv. art.nr:
- FDY1002PZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
102,15 kr
(exkl. moms)
127,70 kr
(inkl. moms)
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 4,086 kr | 102,15 kr |
| 100 - 225 | 3,521 kr | 88,03 kr |
| 250 - 475 | 3,055 kr | 76,38 kr |
| 500 - 975 | 2,684 kr | 67,10 kr |
| 1000 + | 2,442 kr | 61,05 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 807-0713
- Tillv. art.nr:
- FDY1002PZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 830mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SC-89 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.8Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.2nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 625mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Längd | 1.7mm | |
| Höjd | 0.6mm | |
| Bredd | 1.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 830mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SC-89 | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.8Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.2nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 625mW | ||
Framåtriktad spänning Vf -1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Längd 1.7mm | ||
Höjd 0.6mm | ||
Bredd 1.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
Relaterade länkar
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 830 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-89, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 600 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-89-6, PowerTrench
- onsemi Enkel Typ N Kanal, MOSFET, 600 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-523 (SC-89), PowerTrench
- onsemi 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 600 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-523 (SC-89), PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-89
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
