onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-89
- RS-artikelnummer:
- 124-5403
- Tillv. art.nr:
- NTE4151PT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Denna bild representerar endast produktgruppen
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
2 721,00 kr
(exkl. moms)
3 402,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 18 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,907 kr | 2 721,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-5403
- Tillv. art.nr:
- NTE4151PT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 760mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SC-89 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -6V, +6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 310mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 1.7mm | |
| Höjd | 800μm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 950μm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 760mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SC-89 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -6V, +6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Maximal effektförlust Pd 310mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 1.7mm | ||
Höjd 800μm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 950μm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanalig effekt-MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-89
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-89, Si1077X
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, NTA
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 830 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-89, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, 2N7002T
- onsemi N Kanal, MOSFET, 915 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, NTE AEC-Q101
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 600 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-89-6, PowerTrench
- onsemi Enkel N Kanal, MOSFET, 600 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-523 (SC-89), PowerTrench