onsemi N Kanal, MOSFET, 18.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 806-3668
- Tillv. art.nr:
- FDS8813NZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
65,41 kr
(exkl. moms)
81,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 1 785 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 13,082 kr | 65,41 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 806-3668
- Tillv. art.nr:
- FDS8813NZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 55nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.575mm | |
| Bredd | 3.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Längd | 4.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 55nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.575mm | ||
Bredd 3.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Längd 4.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, 10A till 19,9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 18.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 6.1 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 11.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 12.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 10.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
