onsemi N Kanal, MOSFET, 18.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
166-2869
Tillv. art.nr:
FDS8813NZ
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

18.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOIC

Serie

PowerTrench

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

4.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

55nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.575mm

Längd

4.9mm

Bredd

3.9mm

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Fordonsstandard

Nej

PowerTrench® N-kanalig MOSFET, 10A till 19,9A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.