onsemi N Kanal, MOSFET, 8.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 671-0722
- Tillv. art.nr:
- FDS8884
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
47,71 kr
(exkl. moms)
59,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- 20 kvar, redo att levereras
- Sista 2 810 enhet(er) levereras från den 05 oktober 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 4,771 kr | 47,71 kr |
| 100 - 240 | 4,11 kr | 41,10 kr |
| 250 - 490 | 3,562 kr | 35,62 kr |
| 500 - 990 | 3,136 kr | 31,36 kr |
| 1000 + | 2,867 kr | 28,67 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-0722
- Tillv. art.nr:
- FDS8884
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 23mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9.2nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 23mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.2nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, upp till 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 8.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 11.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 10.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 11 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 12.8 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 13 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 8.9 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench