onsemi N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002KW
- RS-artikelnummer:
- 805-1135
- Tillv. art.nr:
- 2N7002KW
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 100 enheter)*
119,10 kr
(exkl. moms)
148,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 300 enhet(er) från den 12 oktober 2026
- Dessutom levereras 1 100 enhet(er) från den 19 oktober 2026
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 10 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 1,191 kr | 119,10 kr |
| 500 - 900 | 1,027 kr | 102,70 kr |
| 1000 + | 0,889 kr | 88,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 805-1135
- Tillv. art.nr:
- 2N7002KW
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 300mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | 2N7002KW | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.8Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 350mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.55nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.2mm | |
| Längd | 2.92mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 300mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie 2N7002KW | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.8Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 350mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.55nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.2mm | ||
Längd 2.92mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enhancement Mode N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fälteffekttransistorer (FET) i Enhancement Mode tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna högdensitetsprocess har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002KW
- onsemi N Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002K AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi N Kanal, MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NDS7002A
- onsemi N Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, FDN357N
- onsemi N Kanal, MOSFET, 500 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, MMBF170L
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.2 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, FDN337N