IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Q3-Class

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

561,80 kr

(exkl. moms)

702,25 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +561,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
804-7583
Distrelec artikelnummer:
302-53-379
Tillv. art.nr:
IXFN80N50Q3
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

63A

Maximal källspänning för dränering Vds

500V

Kapseltyp

SOT-227

Serie

HiperFET, Q3-Class

Typ av fäste

Panel

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

65mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

200nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.4V

Maximal effektförlust Pd

780W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

9.6mm

Längd

38.23mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3-serien


IXYS Q3-klass av HiperFET™ Power MOSFETs är lämpliga för både hård switchning och resonansapplikationer, och erbjuder låg gate-laddning med exceptionell robusthet. Enheterna har en snabb egendiod och finns tillgängliga i en mängd olika industristandardiserade paket, inklusive isolerade typer, med märkdata på upp till 1100 V och 70 A. Typiska applikationer är DC-DC-omvandlare, batteriladdare, switchade och resonansmodade nätaggregat, DC Choppers, temperatur- och belysningsstyrning.

Snabb inbyggd likriktardiod

Låg RDS(on) och QG (grindladdning)

Låg inneboende grindresistans

Industriella standardpaket

Låg induktans i paketet

Hög effekttäthet

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar