IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 26 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-3P, HiperFET, Polar3

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

164,75 kr

(exkl. moms)

205,938 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 158 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +82,375 kr164,75 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
802-4458
Distrelec artikelnummer:
304-36-393
Tillv. art.nr:
IXFQ26N50P3
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

26A

Maximal källspänning för dränering Vds

500V

Serie

HiperFET, Polar3

Kapseltyp

TO-3P

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

240mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

500W

Framåtriktad spänning Vf

1.4V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

42nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

20.3mm

Längd

15.8mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™-serien


Ett sortiment av IXYS Polar3™-serie N-kanaliga Power MOSFETs med snabb inbyggd diod (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.