IXYS N Kanal, MOSFET, 26 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-3P, HiperFET, Polar3
- RS-artikelnummer:
- 146-1754
- Tillv. art.nr:
- IXFQ26N50P3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Antal (30 enheter, i ett rör med 30)*
1 794,24 kr
(exkl. moms)
2 242,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 150 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 + | 59,808 kr | 1 794,24 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 146-1754
- Tillv. art.nr:
- IXFQ26N50P3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 26A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Serie | HiperFET, Polar3 | |
| Kapseltyp | TO-3P | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 240mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 500W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 20.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 15.8mm | |
| Bredd | 4.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 26A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Serie HiperFET, Polar3 | ||
Kapseltyp TO-3P | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 240mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 500W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 20.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 15.8mm | ||
Bredd 4.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- US
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™-serien
Ett sortiment av IXYS Polar3™-serie N-kanaliga Power MOSFETs med snabb inbyggd diod (HiPerFET™)
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS N Kanal, MOSFET, 26 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-3P, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 26 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 26 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 94 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-3P, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 78 A 500 V Förbättring, 3 Ben, PLUS247, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 132 A 500 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 16 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 34 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar3