IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Polar3

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

209,84 kr

(exkl. moms)

262,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 22 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 1209,84 kr
2 - 4199,36 kr
5 - 9188,94 kr
10 +184,58 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
802-4394
Distrelec artikelnummer:
302-53-342
Tillv. art.nr:
IXFK120N30P3
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

300V

Serie

HiperFET, Polar3

Kapseltyp

TO-264

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

27mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

150nC

Maximal effektförlust Pd

1.13kW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

19.96mm

Höjd

26.16mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™-serien


Ett sortiment av IXYS Polar3™-serie N-kanaliga Power MOSFETs med snabb inbyggd diod (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.