Nexperia N Kanal, MOSFET, 89 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:

Alternativ

Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.

presentation
Vishay N Kanal, MOSFET, 60 A 80 V, PowerPAK SO-8L
RS-artikelnummer
256-7418

Var (i en rulle med 3000)

26 493,00 kr

(exkl. moms)

33 116,25 kr

(inkl. moms)

RS-artikelnummer:
798-3028
Tillv. art.nr:
PSMN7R0-60YS,115
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

89A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOT-669

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

10.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

117W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

45nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

1.1mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

5mm

Bredd

4.1mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
PH

N-kanal MOSFET, 60 V till 80 V, Nexperia


MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.