Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669

Antal (1 längd med 5 enheter)*

90,94 kr

(exkl. moms)

113,675 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 12 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
5 +18,188 kr90,94 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
798-3028
Tillv. art.nr:
PSMN7R0-60YS,115
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

89A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOT-669

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

10.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

117W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

45nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

5mm

Höjd

1.1mm

Bredd

4.1mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
PH

N-kanal MOSFET, 60 V till 80 V, Nexperia


MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.