Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1500 enheter)*

13 404,00 kr

(exkl. moms)

16 755,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 12 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1500 +8,936 kr13 404,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
103-8122
Tillv. art.nr:
PSMN1R2-30YLC,115
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOT-669

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

1.65mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

78nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

215W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

4.1mm

Längd

5mm

Höjd

1.1mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
PH

N-kanalig MOSFET, upp till 30V


MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.