onsemi N Kanal, MOSFET, 2.8 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, MGSF2
- RS-artikelnummer:
- 792-5675
- Tillv. art.nr:
- MGSF2N02ELT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
125,22 kr
(exkl. moms)
156,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 60 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 04 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 6,261 kr | 125,22 kr |
| 200 - 480 | 5,387 kr | 107,74 kr |
| 500 - 980 | 4,693 kr | 93,86 kr |
| 1000 - 1980 | 4,122 kr | 82,44 kr |
| 2000 + | 3,758 kr | 75,16 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 792-5675
- Tillv. art.nr:
- MGSF2N02ELT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | MGSF2 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 115mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.25W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -8V, +8V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.01mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.04mm | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie MGSF2 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 115mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.25W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -8V, +8V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.01mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.04mm | ||
Bredd 1.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Effekt-MOSFET med N-kanal, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.8 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, MGSF2
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.8 A 150 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.8 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NDT
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi N Kanal, MOSFET, 2.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.8 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG2302UK AEC-Q101
- Taiwan Semiconductor 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 2.8 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.8 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG2302UKQ AEC-Q101
