Taiwan Semiconductor 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 2.8 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
169-8935
Tillv. art.nr:
TSM2302CX RFG
Tillverkare / varumärke:
Taiwan Semiconductor
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Taiwan Semiconductor

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.8A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

65mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

900mW

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V, -8V

Transistorkonfiguration

Enkel

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3.05mm

Höjd

0.95mm

Bredd

1.4mm

Antal element per chip

1

N-kanals Power MOSFET, Taiwan Semiconductor


MOSFET-transistorer, Taiwan Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.