DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.8 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG2302UKQ AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 719-562
- Tillv. art.nr:
- DMG2302UKQ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
7,73 kr
(exkl. moms)
9,66 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 440 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | 1,546 kr | 7,73 kr |
| 125 - 495 | 1,388 kr | 6,94 kr |
| 500 - 2495 | 1,232 kr | 6,16 kr |
| 2500 + | 1,048 kr | 5,24 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 719-562
- Tillv. art.nr:
- DMG2302UKQ-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | DMG2302UKQ | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 120mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -50°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.1W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Bredd | 2.5mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie DMG2302UKQ | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 120mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -50°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.1W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Bredd 2.5mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
DiodesZetex N-kanal förstärkningsläge MOSFET, speciellt utformad för att uppfylla de stränga kraven i fordonstillämpningar. Den är utformad för att leverera överlägsen effektivitet och utmärker sig i strömhanterings- och styrfunktioner, vilket gör den till ett idealiskt val för uppgifter som DC-DC-omvandling och motorhantering. Med sin robusta konstruktion och överensstämmelse med AEC-Q101-standarderna är denna enhet erkänd för sin tillförlitlighet och höga prestanda i kritiska miljöer. Produkten kombinerar lågt motstånd under drift med snabba omkopplingsmöjligheter, vilket säkerställer att den fungerar effektivt under olika förhållanden.
Egenskaper med lågt motstånd vid tändning förbättrar effektiviteten
Snabb växlingshastighet optimerar prestanda för högfrekventa tillämpningar
Kvalificerad enligt AEC-Q101-standarder, vilket garanterar tillförlitlighet i fordonstillämpningar
Kvalificerad för PPAP, stöd för avancerad produktkvalitetsplanering
ESD-skyddad grinddesign förbättrar robustheten och säkerheten
Halogen- och antimonfri, vilket bidrar till miljövänliga metoder
Utformad med låg ingångskapacitet för förbättrad reaktionsförmåga
I överensstämmelse med RoHS-standarder, vilket säkerställer överensstämmelse med miljöföreskrifter
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.8 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG2302UKQ AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.8 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG2302UK AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4.6 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.9 A 100 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 75 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101