onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 400 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NTR0202PL
- RS-artikelnummer:
- 791-6299
- Tillv. art.nr:
- NTR0202PLT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
144,00 kr
(exkl. moms)
180,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 16 900 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,88 kr | 144,00 kr |
| 100 - 200 | 1,567 kr | 78,35 kr |
| 250 - 450 | 1,316 kr | 65,80 kr |
| 500 - 950 | 1,181 kr | 59,05 kr |
| 1000 + | 0,991 kr | 49,55 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 791-6299
- Tillv. art.nr:
- NTR0202PLT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 400mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | NTR0202PL | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 550mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.18nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 225mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.04mm | |
| Höjd | 1.01mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 400mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie NTR0202PL | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 550mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.18nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 225mW | ||
Framåtriktad spänning Vf -1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.04mm | ||
Höjd 1.01mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanalig effekt-MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 400 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NTR0202PL
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 2.4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 900 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NDS352AP
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 180 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NDS0605
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench