onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 180 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NDS0605

RS-artikelnummer:: 671-1071
Tillv. art.nr:: NDS0605
Tillverkare / varumärke:: onsemi

onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 180 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NDS0605

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

13,89 kr

(exkl. moms)

17,36 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Försörjningsbrist

12 360 kvar, redo att levereras

Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
10 - 90	1,389 kr	13,89 kr
100 - 240	1,192 kr	11,92 kr
250 - 490	1,031 kr	10,31 kr
500 - 990	0,914 kr	9,14 kr
1000 +	0,824 kr	8,24 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 671-1071
Tillv. art.nr:: NDS0605
Tillverkare / varumärke:: onsemi

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	onsemi
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	180mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	NDS0605
	Kapseltyp	SOT-23
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	5Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	360mW
	Framåtriktad spänning Vf	-1.5V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	1.8nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	2.92mm
	Höjd	0.93mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke onsemi
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie NDS0605
	Kapseltyp SOT-23
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 5Ω
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 360mW
	Framåtriktad spänning Vf -1.5V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.8nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Längd 2.92mm
	Höjd 0.93mm
	Fordonsstandard Nej

Enhancement Mode P-kanal MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors sortiment av P-kanaliga MOSFETS tillverkas med ON Semis egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna process med mycket hög densitet har utformats för att minimera on-state-motståndet och ge en robust och tillförlitlig prestanda för snabb omkoppling.

Funktioner och fördelar:

• Spänningsstyrd P-kanalsswitch för små signaler

• Cellkonstruktion med hög densitet

• Hög mättnadsström

• Överlägsen omkoppling

• Mycket robust och tillförlitlig prestanda

• DMOS-teknik

Användningsområden:

• Lastväxling

• DC/DC-omvandlare

• Batteriskydd

• Kontroll av strömhantering

• Styrning av DC-motor

MOSFET-transistorer, ON Semi

ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.