onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

13 728,00 kr

(exkl. moms)

17 160,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Försörjningsbrist
  • 18 000 kvar, redo att levereras
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +4,576 kr13 728,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
124-1696
Tillv. art.nr:
FDC5614P
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

PowerTrench

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

105mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

15nC

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

1.6W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

3mm

Fordonsstandard

Nej

PowerTrench® MOSFET med P-kanal, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs är optimerade strömbrytare som ger ökad systemeffektivitet och effekttäthet. De kombinerar liten grindladdning (Qg), liten omvänd återhämtningsladdning (Qrr) och mjuk omvänd återhämtningsdiod, vilket bidrar till snabb växling av synkron likriktning i AC/DC-strömförsörjningar.

De senaste PowerTrench® MOSFET:erna har en struktur med avskärmad grind som ger laddningsbalans. Tack vare denna avancerade teknik är FOM (Figure of Merit) för dessa enheter betydligt lägre än för tidigare generationer.

PowerTrench® MOSFET:ernas prestanda med mjuk diod kan eliminera snubberkretsar eller ersätta en MOSFET med högre spänning.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.