Vishay Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8
- RS-artikelnummer:
- 268-8281
- Tillv. art.nr:
- SI4534DY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
69,22 kr
(exkl. moms)
86,525 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 540 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 13,844 kr | 69,22 kr |
| 50 - 95 | 12,454 kr | 62,27 kr |
| 100 - 245 | 9,70 kr | 48,50 kr |
| 250 - 995 | 9,52 kr | 47,60 kr |
| 1000 + | 6,316 kr | 31,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 268-8281
- Tillv. art.nr:
- SI4534DY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishays 4 generationens E-serie med teknik har minskade omkopplings- och ledningsförluster och används i tillämpningar som switchade nätaggregat, servernätaggregat och nätaggregat för effektfaktorkorrigering.
Låg effektiv kapacitans
Klassad för avalancheenergi
Låg meritfaktor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 195 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiRA99DP
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 227 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 198 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 105 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 14.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 36 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET