Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 8.7 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, D Series
- RS-artikelnummer:
- 787-9181
- Tillv. art.nr:
- SIHP8N50D-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
106,18 kr
(exkl. moms)
132,725 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- 5 enhet(er) levereras från den 14 september 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 21,236 kr | 106,18 kr |
| 50 - 120 | 19,174 kr | 95,87 kr |
| 125 - 245 | 17,024 kr | 85,12 kr |
| 250 - 495 | 15,972 kr | 79,86 kr |
| 500 + | 14,918 kr | 74,59 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 787-9181
- Tillv. art.nr:
- SIHP8N50D-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Serie | D Series | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.85Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 156W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.65mm | |
| Höjd | 9.01mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.51mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Serie D Series | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.85Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 156W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.65mm | ||
Höjd 9.01mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.51mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, D-serien högspänning, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 8.7 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, D Series
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 6.4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, E
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, EF
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 29 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, EF
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, E
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 18 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, EF
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 35 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, E
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 8 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRF840A
