Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 8 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRF840

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

146,50 kr

(exkl. moms)

183,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 65 enhet(er) är redo att levereras
  • Plus 55 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
  • Dessutom levereras 560 enhet(er) från den 10 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4529,30 kr146,50 kr
50 - 9526,612 kr133,06 kr
100 - 24525,558 kr127,79 kr
250 - 49523,924 kr119,62 kr
500 +21,28 kr106,40 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
281-6028
Distrelec artikelnummer:
304-42-105
Tillv. art.nr:
IRF840PBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8A

Maximal källspänning för dränering Vds

500V

Kapseltyp

TO-220AB

Serie

IRF840

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

850mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

63nC

Framåtriktad spänning Vf

2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

125W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Vishay IRF840-serien effekt-MOSFET, 500 V drain-källspänning, 125 W effektförlust - IRF840PBF


Denna effekt-MOSFET är en högspänningshalvledarenhet avsedd för omkoppling och förstärkning i kraftelektronik. Den fungerar över ett brett temperaturområde och levereras i en TO-220AB-förpackning med genomgående hål som är lämplig för kylelement. Komponenten är RoHS-kompatibel och använder en N-kanalförstärkningstopologi för att styra ledning av avtappningskälla i högspänningskretsar.

Funktioner och fördelar:


• 500 V drain-source-klassning för högspänningstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 8 A stöder långvariga belastningar
• 125 W effektförlust för ökad värmehantering
• 850 mΩ Rds(on) balanserar ledningsförluster och kontrollenhet
• 63 nC total grindladdning möjliggör förutsägbar omkopplingskontroll
• 20 V maximal gate-källspänning möjliggör robust gate-drivning

Användningsområden


• Lämplig för switchade strömförsörjningsutgångsstegen
• Används med högspänningsmotordrivkretsar
• Idealisk för omkopplingselement för industriella växelriktare
• Kan användas för DC/DC-omvandlare för transistorer på höga sidan
• Används för laboratorieaggregat för strömtest och prototypkort

Vilka omgivningstemperaturer tål den under drift?


Den är specificerad för att fungera från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i krävande termiska miljöer.

Hur ska den monteras för optimal termisk prestanda?


TO-220AB-formatet med genomgående hål är utformat för att fästas på en kylelement med hjälp av flik och fäste för att maximera värmeledningsförmågan.

Vilka begränsningar för grinddrivning måste konstruktörer observera?


Gate-source-spänningen får inte överstiga 20 V

typiska grindstyrningskretsar bör ge kontrollerade övergångar för att hantera grindladdningen på 63 nC.

Finns det några garantier av fordonsklass för användning i fordon?


Den är inte listad som en standardenhet för fordon, så konstruktörer bör bedöma lämpligheten före fordonstillämpningar.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.