onsemi N Kanal, MOSFET, 990 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, NTK3134N
- RS-artikelnummer:
- 780-0649
- Tillv. art.nr:
- NTK3134NT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 50 enheter)*
291,65 kr
(exkl. moms)
364,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 4 000 enhet(er) levereras från den 13 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 5,833 kr | 291,65 kr |
| 100 - 200 | 5,25 kr | 262,50 kr |
| 250 + | 4,666 kr | 233,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 780-0649
- Tillv. art.nr:
- NTK3134NT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 990mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | NTK3134N | |
| Kapseltyp | SOT-723 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -6V, +6V | |
| Maximal effektförlust Pd | 550mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 1.25mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 850μm | |
| Höjd | 550μm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 990mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie NTK3134N | ||
Kapseltyp SOT-723 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -6V, +6V | ||
Maximal effektförlust Pd 550mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 1.25mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 850μm | ||
Höjd 550μm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Effekt-MOSFET med N-kanal, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 990 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, NTK3134N
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 870 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, NTK
- ROHM N Kanal, MOSFET 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, RUM001L02
- Toshiba 1 N Kanal Enkel, MOSFET 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723
- ROHM N Kanal, MOSFET, 200 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, RUM002N02
- ROHM N Kanal, MOSFET, 250 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, RSM002N06
- ROHM N Kanal, MOSFET, 200 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, RUM002N05
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 990 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, ISP