ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, RUM002N02

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 100 enheter)*

66,30 kr

(exkl. moms)

82,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 700 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
100 - 4000,663 kr66,30 kr
500 - 9000,427 kr42,70 kr
1000 - 24000,306 kr30,60 kr
2500 - 49000,297 kr29,70 kr
5000 +0,29 kr29,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
124-6839
Tillv. art.nr:
RUM002N02T2L
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

200mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-723

Serie

RUM002N02

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

4.8Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

150mW

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

1.3mm

Höjd

0.45mm

Fordonsstandard

Nej

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM


MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor


Relaterade länkar