ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-723, RUM002N02

Antal (1 förpackning med 100 enheter)*

126,30 kr

(exkl. moms)

157,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 700 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
100 +1,263 kr126,30 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
124-6839
Tillv. art.nr:
RUM002N02T2L
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

200mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

RUM002N02

Kapseltyp

SOT-723

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

4.8Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

150mW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.45mm

Längd

1.3mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET-transistorer, ROHM


MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.