onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 915 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, NTA
- RS-artikelnummer:
- 773-7872
- Tillv. art.nr:
- NTA4153NT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
17,36 kr
(exkl. moms)
21,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 590 enhet(er) från den 24 augusti 2026
- Dessutom levereras 35 220 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,736 kr | 17,36 kr |
| 100 - 190 | 1,198 kr | 11,98 kr |
| 200 - 740 | 0,75 kr | 7,50 kr |
| 750 - 1490 | 0,661 kr | 6,61 kr |
| 1500 + | 0,56 kr | 5,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 773-7872
- Tillv. art.nr:
- NTA4153NT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 915mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SC-75 | |
| Serie | NTA | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.82nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 300mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.8mm | |
| Längd | 0.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 915mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SC-75 | ||
Serie NTA | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.82nC | ||
Maximal effektförlust Pd 300mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.8mm | ||
Längd 0.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Effekt-MOSFET med N-kanal, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 915 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, NTA
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, NTA
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 915 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, NTE AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 240 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, NTA4001N AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 150 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, NTA7002N AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, RE1C001UN
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-89
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.37 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70