onsemi N Kanal, MOSFET, 915 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, NTE AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*

1 986,00 kr

(exkl. moms)

2 484,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +0,662 kr1 986,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
184-1063
Tillv. art.nr:
NTE4153NT1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

915mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Serie

NTE

Kapseltyp

SC-89

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

950mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

300mW

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

6V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.82nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

950μm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

800μm

Längd

1.7mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Små signal MOSFET 20 V 915 mA 230 mOhm enkel N-kanal SC-89 med ESD-skydd

Låg RDS(on) förbättrar systemets effektivitet

Låg tröskelspänning, 1,5 V-klassad

ESD-skyddad grind

Användningsområden:

Last-/strömbrytare

Strömförsörjningsomvandlarkretsar

Batterihantering

Bärbara datorer som mobiltelefoner, handdatorer, digitalkameror, pagers, etc.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.