onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 2.5 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
124-1309
Tillv. art.nr:
FDC6333C
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

Typ P, Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

PowerTrench

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

220mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.7nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25V

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Maximal effektförlust Pd

960mW

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3mm

Höjd

1mm

Bredd

1.7mm

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

PowerTrench® MOSFET med dubbla N/P-kanaler, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs är optimerade strömbrytare som ger ökad systemeffektivitet och effekttäthet. De kombinerar liten grindladdning (Qg), liten omvänd återhämtningsladdning (Qrr) och mjuk omvänd återhämtningsdiod, vilket bidrar till snabb växling av synkron likriktning i AC/DC-strömförsörjningar.

De senaste PowerTrench® MOSFET:erna har en struktur med avskärmad grind som ger laddningsbalans. Genom att utnyttja denna avancerade teknik är FOM (Figure of Merit) för dessa enheter betydligt lägre än för tidigare generationer.

PowerTrench® MOSFET:ernas prestanda som mjukkroppsdioder kan eliminera snubberkretsar eller ersätta MOSFET:er med högre spänning.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.