onsemi N Kanal, MOSFET, 30 A 50 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, BUZ11
- RS-artikelnummer:
- 761-3515
- Tillv. art.nr:
- BUZ11-NR4941
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
86,46 kr
(exkl. moms)
108,07 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Dessutom levereras 750 enhet(er) från den 05 oktober 2026
- Dessutom levereras 295 enhet(er) från den 05 oktober 2026
- Sista 70 enhet(er) levereras från den 12 oktober 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 17,292 kr | 86,46 kr |
| 50 - 95 | 14,918 kr | 74,59 kr |
| 100 - 495 | 12,902 kr | 64,51 kr |
| 500 - 995 | 11,38 kr | 56,90 kr |
| 1000 + | 10,326 kr | 51,63 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 761-3515
- Tillv. art.nr:
- BUZ11-NR4941
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 50V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | BUZ11 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 40mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 75W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Höjd | 16.51mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 50V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie BUZ11 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 40mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 75W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.83mm | ||
Höjd 16.51mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enhancement Mode N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fälteffekttransistorer (FET) i Enhancement Mode tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna högdensitetsprocess har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 70 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MTP3055VL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FCPF