STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.1 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

54,83 kr

(exkl. moms)

68,54 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 415 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +10,966 kr54,83 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
761-0099
Tillv. art.nr:
STP2NK90Z
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

900V

Kapseltyp

TO-220

Serie

MDmesh, SuperMESH

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

6.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

19.5nC

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal effektförlust Pd

70W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

15.75mm

Längd

10.4mm

Bredd

4.6 mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanals MDmesh™ SuperMESH™, 700V till 1200V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar