STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.1 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

668,65 kr

(exkl. moms)

835,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 400 enhet(er) från den 12 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 45013,373 kr668,65 kr
500 - 120011,541 kr577,05 kr
1250 +9,281 kr464,05 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-7505
Tillv. art.nr:
STP2NK90Z
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

900V

Kapseltyp

TO-220

Serie

MDmesh, SuperMESH

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

6.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

19.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

70W

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-30V, +30V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.4mm

Höjd

15.75mm

Bredd

4.6mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 700 V till 1 200 V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.